SAN FRANCISKO, Na brifingu za novinare održanom u San Francisku,Intel korporacija je predstavila najnovija dostignuća u oblasti 32nm proizvodnje i napretka ka budućim tehnologijama i proizvodima.
Istog dana, u Vašingtonu, Intelov predsjednik i izvršni direktor, Pol Otelini, objavio je da Intel namerava da, do sada najvećom investicijom u pojedinačnu tehnologiju u Americi, pomogne prelazak na napredne proizvodne pogone i narednu generaciju, 32nm proizvodne tehnologije. Intel će investirati oko 7 milijardi dolara u 2009. i 2010. godini u 32nm tehnologiju, što će dostići 8 milijardi dolara krajem 2010. godine.
Prvo predstavljanje mikroprocesora zasnovanog na 32nm proizvodnom procesu:
Intel predstavlja prvi mikroprocesor zasnovan na 32nm tehnologiji za mobilne I desktop sisteme; Izvanredni 32nm proces i rad proizvoda daju mogućnost Intelu da ubrza pojavu 32nm proizvoda: Proizvodnja Westmere mobilnih i desktop procesora u četvrtom kvartalu 2009. godine, 32nm pruža bolje performanse i prilagodljivu potrošnju.
Intel procesori zasnovani na Westmere-u vremenom će naći svoje mesto u mobilnim, desktop i serverskim segmentima, uporedo sa napretkom 32nm procesa.
Za korisnike, Westmere donosi Nehalem kao Intelovu mainstream proizvodnu liniju: Poboljšane performanse, manje procesorsko jezgro, Novi multi-chip paket sa integrisanom grafikom u samom procesoru, Reparticionisana arhitektura, pojednostavljene matične ploče, 32nm proizvodi na tržištu servera se očekuju 2010. godine
Glavne karakteristike Westmere tehnologije: Intel® Turbo Boost tehnologija, Intel® Hyper-Threading tehnologija (2 jezgra, 4 treda), Integrisana grafika, neintegrisana/zamenljiva grafička podrška, 4MB keš memorije, integrisani memorijski kontoler (IMC) – 2ch DDR3, AES instrukcije.
Era 32-nanometarskiog proizvodnog procesa sa high-k+ metal gate tranzistorima počinje. Veličina Intela kao proizvođača integrisanih uređaja dozvoljava kompaniji da nastavi da isporukom novih generacija naprednih procesnih tehnologija na dvogodišnjem isteku. Intel je razvio 32nm tehnologiju za vodeće industrijskim karakteristikama: Druga generacija high-K * metal gate tranzistora, 32-nanometra obilježavaju, 9 bakarnih *low-k interconnect slojeva, Oko 70 procenata smanjenja dimenzija sa generacije 45nm proizvoda, Pakovanje bez olova i halogena. Economy