SEUL, Najveći svjetski proizvođač memorijskih čipova, južnokorejska kompanija Samsung Electronics, saopštila je da je počela serijsku proizvodnju čipova kompjuterske memorije nove generacije koja radi na principu promjene faze (PRAM).
Ćelije PRAM zasnovane su na djelićima poluprovodnika mikroskopskih razmjera. Pri zapisivanju informacije one veoma brzo prelaze iz faze kristala u amorfnu fazu i obratno. Promjena stanja se ostvaruje uz pomoć električnog impulsa, a za boravak u jednoj ili drugoj fazi nije potrebna energija.
Brzina djelovanja PRAM zavisi samo od toga koliko je vremena potrebno za topljenje i kasnije zamrzavanje sićušnih kristala.
Naučnici tvrde da PRAM omogućuje brisanje ćelija gotovo deset puta brže od savremenih modela fleš memorije, dok brzina zapisivanja novih informacija nadmašuje fleš memoriju sedam puta.
Naučnici berlinskog tehnološkog univerziteta su tokom nedavnog eksperimenta ispitivali ćelije PRAM prečnika svega 20 nanometara. U njima se prelazak iz jedne faze u drugu obavljao za svega 16 nanosekundi – brže od bilo koje danas postojeće tehnologije.
